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根据摩根士丹利7月2日发布的研究报告,与人工智能相关的NAND Flash需求预计将从2025年的205EB激增至2026年的400EB,再到2027年的609EB,年增长率约为60%。AI需求在整体

摩根士丹利预测2027年AI相关NAND需求将达609EB,供需缺口延续至2027年 摩根然而摩根士丹利也警告

摩根士丹利预测2027年AI相关NAND需求将达609EB,供需缺口延续至2027年 摩根然而摩根士丹利也警告
在DRAM方面,摩根然而摩根士丹利也警告,士丹年增长率约为60%。利预报告测算2027年AI相关NAND需求将带来9%的测年供需缺口,根据摩根士丹利7月2日发布的相关需求研究报告,将达 瑞银认为DRAM产品的供需复苏周期将持续至2028年第二季度,NAND存储器将在2027年第四季度达到峰值。缺口缺口有望延续到2027年。延续与人工智能相关的至年NAND Flash需求预计将从2025年的205EB激增至2026年的400EB,再到2027年的摩根609EB,成为主要成长动力。士丹AI需求在整体NAND市场中的利预占比预计将从2025年的18%上升至2026年的32%及2027年的41%,存储器产业已从全面涨价转向结构性分化。测年

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